一、PIN光探测器的定义
PIN光探测器是一种基于半导体P-I-N结构的光电二极管，由P型半导体、本征（Intrinsic）半导体层和N型半导体垂直堆叠而成。其核心原理是通过本征层（I层）吸收光子，产生电子-空穴对，并在反向偏压作用下实现载流子的快速分离与收集，最终将光信号转换为电信号。名称中的“PIN”直接来源于其结构层（P-I-N）的缩写。
一、PIN光探测器特性
高响应速度高可靠性
射频光传输
光通信系统
激光雷达（LiDAR）
光学测量与传感
工业与安全监控
| 范围 | 符号 | 条件 | 参数值 | 单位 |
| 储存温度 | Tstg | - | -40~+100 | °C |
| 工作温度 | Top | - | -40~+85 | °C |
| 反向电压 | VR | CW | 30 | V |
| 焊接时间 | - | - | 10 | s |
| 焊接温度 | - | - | 260 | °C |
四、PIN光探测器光电的参数
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
| 检测范围 | λ | 850 | 1650 | nm | - | |
| 暗电流 | Id | - | 1 | 5 | nA | VR=5V，25°C |
| 量子效率 | R | 0.80 | - | - | A/W | VR=5V，λ=1310 nm |
| 饱和功率 | P | 10 | - | - | dBm | VR=5V，25°C |
| 上升和下降时间 | Tr/Tf | - | 0.1 | - | ns | RL=50Ω |
| 反向电压 | VR | - | - | 15 | V | - |
| 电容 | Ct | - | - | 0.75 | pF | VR=5V |
| 回波损耗 | RL | - | - | -45 | dB | - |
PIN光探测器PIN分配（底视图）
pin function 1(case) ground 2 PD(-) 3 PD(+)
四川88858cc永利集团PIN光探测器订购信息
| Bandwidth | Saddle | Fiber length | Fiber type | Connector |
| 0:0~1GHz 1:＞1.8GHz 2:＞2.5GHz 3:others | 1=a 2=b 3=c 4=d 5=e 6=others | A=0.5m B=1.0m C=others | 1=SMF-28 2=50/125μm 3=62.5/125μm 4=PM 5=others | 0=NO 1=FC/APC 2=FC/PC 3=SC/APC 4=LC 5=OTHERS |
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